随着新型二维材料在光电子器件中的广泛应用，In₂Se₃作为一种具有优异光电特性的层状半导体材料，逐渐成为研究热点。近年来，研究人员对基于In₂Se₃的光电晶体管进行了深入探索，特别是在其在不同外部条件下的稳定性和响应性能方面。然而，在实际应用中，这些器件常常会受到各种环境因素的影响，例如高能辐射和机械应力等，这些因素可能会显著改变其工作性能。

本文聚焦于In₂Se₃基光电晶体管在Co-射线（即钴-60伽马射线）照射下的行为变化，并探讨了通过施加应变来调控其光电响应的可行性。实验结果表明，当器件暴露于一定剂量的Co-射线辐射后，其电流特性、响应速度以及光敏性均发生了明显变化。这种变化可能是由于辐射引起的晶格缺陷或电荷陷阱的形成所导致的。

为了缓解辐射带来的负面影响，本文引入了应变调控策略。通过对器件施加适当的机械应变，可以有效调节In₂Se₃层的能带结构和载流子迁移率，从而改善器件的光电性能。实验数据显示，在特定应变条件下，器件的光电响应强度得到了一定程度的恢复，说明应变调控在提升器件抗辐射能力方面具有潜在的应用价值。

此外，本文还分析了不同应变方向和幅度对器件性能的影响，发现沿特定晶向施加拉伸应变能够更有效地抑制辐射引起的性能退化。这一发现为未来设计高稳定性、耐辐射的In₂Se₃基光电探测器提供了新的思路。

综上所述，本研究不仅揭示了Co-射线辐射对In₂Se₃基光电晶体管的影响机制，还提出了通过应变调控手段来优化器件性能的有效方法，为相关领域的进一步发展奠定了理论基础和技术支持。